Samuag
New member
SK Hynix, bölümdeki en yüksek katman sayısına ulaşarak 238 katmana sahip üç boyutlu NAND yongaların üretimine başlayacağını duyurdu. Yeni 512 Gb (64 GB) çiplerle inşa edilen mamüllerin çok ucuz olacağı söyleniyor. Ayrıyeten 238 katmanlı 512 Gb üç boyutlu NAND tabanlı eserler, hayli sayıda katmana sahip flash belleklerin üretimi konusunda SK Hynix’in hayli şey öğrenmesini sağlayacak.
İlk üç boyutlu NAND (veya 4D NAND olarak adlandırılabilir) yongalar, üç düzeyli hücre (TLC) mimarisine, 512 Gb (64 GB) kapasiteye ve 2400 MT/sn arayüz suratına (önceki kuşağa bakılırsa %50 artış) sahip. Ek olarak, yeni NAND depolama eserleriyle okuma sırasında güç tüketimi %21 oranında düşecek. Bu da taşınabilir PC’ler ve akıllı telefonlar için bir avantaj olacak.
PUC: Hücre dizisinin altına çevresel devreler yerleştirerek üretim verimliliğini en üst seviyeye çıkaran bir teknoloji.
SK Hynix’in geliştirdiği yeni depolama üniteleri, charge trap flash (CTF) dizaynının yanı sıra şirketin resmi olarak ‘4D’ NAND olarak isimlendirdiği hücre altı etraf ünitesi (PUC-peripheral under cells) sistemine sahip. PUC, üreticinin aygıtları biraz daha küçülterek NAND belleğin maliyetlerini düşürmesine imkan tanıyor.
512 Gb (64 GB) kapasiteli yongalar, süratli ve ortaya düzeyde yer alan SSD’ler üretme konusunda 1 Tb (128 GB) 232 katmanlı üç boyutlu NAND IC’lere göre belli avantajlar sağlayabilir. Sekiz 512 Gb üç boyutlu NAND ünitesiyle bir arada 512 GB kapasiteli şoförler inşa etmek mümkün. bu biçimdelikle sekiz NAND kanalının tümü aktifleşiyor ve nispeten düşük bir maliyetle mümkün olan azamî paralellik ve performans sağlanabilir.
SK Hynix, 2023’ün birinci yarısında 238 katmanlı 4D TLC NAND mamüllerin seri üretimine başlamayı planlıyor. Hatırlarsanız Micron, sadece birkaç gün öncesine kadar 232 katmanlı NAND teknolojisiyle liderliği ele almıştı. Koltuğun el değiştirmesi ise uzun sürmedi.
İlk üç boyutlu NAND (veya 4D NAND olarak adlandırılabilir) yongalar, üç düzeyli hücre (TLC) mimarisine, 512 Gb (64 GB) kapasiteye ve 2400 MT/sn arayüz suratına (önceki kuşağa bakılırsa %50 artış) sahip. Ek olarak, yeni NAND depolama eserleriyle okuma sırasında güç tüketimi %21 oranında düşecek. Bu da taşınabilir PC’ler ve akıllı telefonlar için bir avantaj olacak.
PUC: Hücre dizisinin altına çevresel devreler yerleştirerek üretim verimliliğini en üst seviyeye çıkaran bir teknoloji.
SK Hynix’in geliştirdiği yeni depolama üniteleri, charge trap flash (CTF) dizaynının yanı sıra şirketin resmi olarak ‘4D’ NAND olarak isimlendirdiği hücre altı etraf ünitesi (PUC-peripheral under cells) sistemine sahip. PUC, üreticinin aygıtları biraz daha küçülterek NAND belleğin maliyetlerini düşürmesine imkan tanıyor.
512 Gb (64 GB) kapasiteli yongalar, süratli ve ortaya düzeyde yer alan SSD’ler üretme konusunda 1 Tb (128 GB) 232 katmanlı üç boyutlu NAND IC’lere göre belli avantajlar sağlayabilir. Sekiz 512 Gb üç boyutlu NAND ünitesiyle bir arada 512 GB kapasiteli şoförler inşa etmek mümkün. bu biçimdelikle sekiz NAND kanalının tümü aktifleşiyor ve nispeten düşük bir maliyetle mümkün olan azamî paralellik ve performans sağlanabilir.
SK Hynix, 2023’ün birinci yarısında 238 katmanlı 4D TLC NAND mamüllerin seri üretimine başlamayı planlıyor. Hatırlarsanız Micron, sadece birkaç gün öncesine kadar 232 katmanlı NAND teknolojisiyle liderliği ele almıştı. Koltuğun el değiştirmesi ise uzun sürmedi.