Samuag
New member
Intel’in yarı iletken teknolojileri, bilhassa 14nm sürecinde fazlaca fazla tartışmaya husus oldu. Üretimi yıllar süren 10nm işlemciler birden hayli defa ertelendi ve son tüketiciye ulaşması vakit aldı. Mavi ekip son devirde işleri toparlarken yıllar daha sonrasına uzanan planlar açıklamıştı. Artık ise VLSI Sempozyumu’nda Intel 4 ismi verilen üretim teknolojisi hakkında daha fazla bilgi edindik.
Daha evvel 7nm olarak isimlendirilen Intel 4, şirketin çeşitli farklı teknolojilerle bir arada EUV litografisini kullanan birinci üretim teknolojisi. Yeni bir fabrikasyon teknolojisi gün yüzüne çıktığında akla gelen birinci şey yoğunluktur. Bu yeni teknik, Intel 7 (10nm SuperFin) ile kıyaslandığında birebir alan için transistör sayısını iki katına çıkaracak ve %20 daha yüksek performanslı transistörler sağlayacak.
Bireysel transistör boyutuna bakıldığında Intel 4 teknolojisi pek küçük bir silikon kesimini temsil ediyor. 30nm Fin Pitch, kapılar içinde 50nm Contact Gate Poly Pitch ve 50nm Asgarî Metal Pitch (M0) ile Intel 4 transistörü, tabloda listelenen Intel 7 hücresine kıyasla değerli ölçüde daha küçük. Ölçeklendirme açısından Intel 4, Intel 7’ye kıyasla tıpkı alanda iki kat daha fazla transistör sunabiliyor. Fakat bu bu sürecin farklı bilgileri var. Intel 7 üzerinde oluşturulan tıpkı SoC, Intel 4’ün yarısı kadar olmayacak. Intel 7 ile milimetre kareye 80 milyon transistör sığarken, Intel 4 ile bu ölçü 160 milyona çıkabiliyor.
Intel 4’ün üretim sürecinde şirket birinci sefer EUV kullanıyor ve olağanüstü sonuçlar elde ediyor. Son olarak bu yeni transistörlerin performansına gelelim. Intel, 0,65 iso-power’da Intel 4 ile sürdürülebilir frekansta %21,5’lik bir kar bildiriyor. 0,84 Volt üzere daha yüksek güçte, eğri düzleşerek yaklaşık %10 düzgünleşme sağlıyor. Iso-frequency (frekans) testleri kelam konusu olduğunda ise Intel, 2,1 GHz transistör anahtarlama suratında ölçülen %40 daha düşük güç tüketiminden bahsediyor.
Yeni Intel 4 teknolojisini temel alan eserler, 14. Kuşak Meteor Lake ailesiyle birlikte 2023 yılında piyasaya çıkacak.
Daha evvel 7nm olarak isimlendirilen Intel 4, şirketin çeşitli farklı teknolojilerle bir arada EUV litografisini kullanan birinci üretim teknolojisi. Yeni bir fabrikasyon teknolojisi gün yüzüne çıktığında akla gelen birinci şey yoğunluktur. Bu yeni teknik, Intel 7 (10nm SuperFin) ile kıyaslandığında birebir alan için transistör sayısını iki katına çıkaracak ve %20 daha yüksek performanslı transistörler sağlayacak.
Bireysel transistör boyutuna bakıldığında Intel 4 teknolojisi pek küçük bir silikon kesimini temsil ediyor. 30nm Fin Pitch, kapılar içinde 50nm Contact Gate Poly Pitch ve 50nm Asgarî Metal Pitch (M0) ile Intel 4 transistörü, tabloda listelenen Intel 7 hücresine kıyasla değerli ölçüde daha küçük. Ölçeklendirme açısından Intel 4, Intel 7’ye kıyasla tıpkı alanda iki kat daha fazla transistör sunabiliyor. Fakat bu bu sürecin farklı bilgileri var. Intel 7 üzerinde oluşturulan tıpkı SoC, Intel 4’ün yarısı kadar olmayacak. Intel 7 ile milimetre kareye 80 milyon transistör sığarken, Intel 4 ile bu ölçü 160 milyona çıkabiliyor.
Intel 4’ün üretim sürecinde şirket birinci sefer EUV kullanıyor ve olağanüstü sonuçlar elde ediyor. Son olarak bu yeni transistörlerin performansına gelelim. Intel, 0,65 iso-power’da Intel 4 ile sürdürülebilir frekansta %21,5’lik bir kar bildiriyor. 0,84 Volt üzere daha yüksek güçte, eğri düzleşerek yaklaşık %10 düzgünleşme sağlıyor. Iso-frequency (frekans) testleri kelam konusu olduğunda ise Intel, 2,1 GHz transistör anahtarlama suratında ölçülen %40 daha düşük güç tüketiminden bahsediyor.
Yeni Intel 4 teknolojisini temel alan eserler, 14. Kuşak Meteor Lake ailesiyle birlikte 2023 yılında piyasaya çıkacak.