Samuag
New member
Çip üreticileri, transistör dizaynlarını küçültmek için gece gündüz çalışırken son devirde bu süreç daha da zorlaştı. Çin’deki bir araştırma takımı ise şimdiye kadarki en küçük transistör dizaynını geliştirdiğine inanıyor.
Bilim insanları ve mühendisler, onlarca yıldır transistörleri en küçük boyutlara taşımak için güç harcıyor. 1950’lerdeki birinci entegre devrelerden bu yana, transistörlerin minyatürleştirilmesindeki ilerleme suratı, entegre çiplerdeki faal bileşenlerin yoğunluğunun her iki yılda bir ikiye katlanacağını önnazarann Moore Yasasını izledi. Bildiğiniz üzere bu ilerleme son senelerda değerli ölçüde yavaşladı. Bunun ana sebebi, mevcut gereçler ve sahip olduğumuz en gelişmiş üretim süreçleri ile mümkün olanın fizikî hudutlarına süratle yaklaşıyor olmamız.
Çinli araştırmacılar, yeni yayınladıkları bir makalede, şimdiye kadar bildirilen en küçük kapı uzunluğuna sahip bir transistör geliştirdiklerini deklare ettilar. Bu dönüm noktası, grafen ve molibden disülfürün yaratıcı bir biçimde kullanılması, ayrıyeten bunların iki basamaklı bir merdiven yapısına istiflenmesiyle mümkün oldu.
Tsinghua Üniversitesi araştırmacısı Tian-Ling Ren çalışmanın müelliflerinden biri ve bunun “Moore Yasası için son teknik” olabileceğini söylemiş oldu. Ayrıyeten kapı boyutu için 0.34 nm’den daha küçük bir boyuta geçmenin neredeyse imkansız olduğuna inanıyor.
Yeni süratle gelişen teknolojinin gerisindeki araştırmacılar, gerekli katmanların hassas pozisyonlandırılması için yeni bir müddetç icat etmeden, tek atomlu ince gereçler kullanılarak fonksiyonel bir transistörün yapılabileceğini kanıtladı. Milyarlarca transistör kullanmak hala bir hayal lakin bu tarafta atılan kritik adımlar gelecekte daha süratli ve verimli aygıtlar için umut veriyor.
Bu ortada Samsung, Intel ve TSMC üzere devler gate-all-around (GAA-FET) transistörler ve orta temas dizaynlarını standartlaştırmak için fazlaca çalışıyor.
Bilim insanları ve mühendisler, onlarca yıldır transistörleri en küçük boyutlara taşımak için güç harcıyor. 1950’lerdeki birinci entegre devrelerden bu yana, transistörlerin minyatürleştirilmesindeki ilerleme suratı, entegre çiplerdeki faal bileşenlerin yoğunluğunun her iki yılda bir ikiye katlanacağını önnazarann Moore Yasasını izledi. Bildiğiniz üzere bu ilerleme son senelerda değerli ölçüde yavaşladı. Bunun ana sebebi, mevcut gereçler ve sahip olduğumuz en gelişmiş üretim süreçleri ile mümkün olanın fizikî hudutlarına süratle yaklaşıyor olmamız.
Çinli araştırmacılar, yeni yayınladıkları bir makalede, şimdiye kadar bildirilen en küçük kapı uzunluğuna sahip bir transistör geliştirdiklerini deklare ettilar. Bu dönüm noktası, grafen ve molibden disülfürün yaratıcı bir biçimde kullanılması, ayrıyeten bunların iki basamaklı bir merdiven yapısına istiflenmesiyle mümkün oldu.
Tsinghua Üniversitesi araştırmacısı Tian-Ling Ren çalışmanın müelliflerinden biri ve bunun “Moore Yasası için son teknik” olabileceğini söylemiş oldu. Ayrıyeten kapı boyutu için 0.34 nm’den daha küçük bir boyuta geçmenin neredeyse imkansız olduğuna inanıyor.
Yeni süratle gelişen teknolojinin gerisindeki araştırmacılar, gerekli katmanların hassas pozisyonlandırılması için yeni bir müddetç icat etmeden, tek atomlu ince gereçler kullanılarak fonksiyonel bir transistörün yapılabileceğini kanıtladı. Milyarlarca transistör kullanmak hala bir hayal lakin bu tarafta atılan kritik adımlar gelecekte daha süratli ve verimli aygıtlar için umut veriyor.
Bu ortada Samsung, Intel ve TSMC üzere devler gate-all-around (GAA-FET) transistörler ve orta temas dizaynlarını standartlaştırmak için fazlaca çalışıyor.